IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Nuwe elektroniese komponent

Kort beskrywing:

Produkbesonderhede

Produk Tags

IPD042P03L3 G
P-kanaalverbeteringsmodus Veld-effektransistor (FET), -30 V, D-PAK
Infineon se hoogs innoverende Opti MOS™-families sluit p-kanaal krag MOSFET's in.Hierdie produkte voldoen deurgaans aan die hoogste gehalte- en werkverrigtingvereistes in sleutelspesifikasies vir kragstelselontwerp, soos weerstand in die toestand en eienskappe van meriete.

Opsomming van kenmerke
Verbeteringsmodus
Logika vlak
Avalanche gegradeer
Vinnige oorskakeling
Dv/dt gegradeer
Pb-vrye loodplatering
RoHS voldoen, halogeenvry
Gekwalifiseerd volgens AEC Q101
Potensiële toepassings
Kragbestuursfunksies
Motor beheer
Aan boord laaier
DC-DC
Verbruiker
Logika vlak vertalers
Krag MOSFET-hekbestuurders
Ander skakeltoepassings

Spesifikasies

Produkkenmerk	Eienskapwaarde
Vervaardiger:	Infineon
Produk Kategorie:	MOSFET
RoHS:	Besonderhede
Tegnologie:	Si
Montagestyl:	SMD/SBS
Pakket/tas:	TO-252-3
Transistor polariteit:	P-kanaal
Aantal kanale:	1 Kanaal
Vds – Dreineerbron-afbreekspanning:	30 V
ID – Deurlopende dreineerstroom:	70 A
Rds On – Dreineerbronweerstand:	3,5 mOhm
Vgs – Hekbronspanning:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Hek-bron Drempelspanning:	2 V
Qg – Heklading:	175 nC
Minimum bedryfstemperatuur:	- 55 C
Maksimum bedryfstemperatuur:	+ 175 C
Pd – Kragverspreiding:	150 W
Kanaalmodus:	Verbetering
Handelsnaam:	OptiMOS
Verpakking:	Reel
Verpakking:	Sny Tape
Verpakking:	MuisReel
Handelsmerk:	Infineon Technologies
Opstelling:	Enkellopend
Herfs Tyd:	22 ns
Voorwaartse transgeleiding – Min:	65 S
Hoogte:	2,3 mm
Lengte:	6,5 mm
Produk Tipe:	MOSFET
Stygtyd:	167 ns
Reeks:	OptiMOS P3
Fabriekspakkethoeveelheid:	2500
Subkategorie:	MOSFET's
Transistor tipe:	1 P-kanaal
Tipiese afskakelvertragingstyd:	89 ns
Tipiese aanskakelvertragingstyd:	21 ns
Breedte:	6,22 mm
Deel # Aliases:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Eenheid gewig:	0,011640 onse